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日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測

訪問次數:3225

更新日期:2024-03-17

簡要描述:

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測NC-80MAP
使用多種類型的非接觸式探頭的電阻測量儀器,范圍廣泛
(要安裝的探頭數量和探頭類型可根據要求更改)

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測NC-80MAP

產品特點

  • 使用多種類型的非接觸式探頭的電阻測量儀器,范圍廣泛
    (要安裝的探頭數量和探頭類型可根據要求更改)
  • 從8 mm的邊緣可以進行多點測量
  • 由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進行測量而不會損壞它。
  • 可編程測量模式和2-D / 3-D映射軟件
  • *選項:安裝了額外的晶圓厚度測量探針

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測NC-80MAP

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導體相關的進樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請與我們聯xi)

測量尺寸

2-8英寸
(可選; 12英寸)

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)

*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。

(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 

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