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導(dǎo)電薄膜方塊電阻無損檢測設(shè)備EC-80P技術(shù)分析

  • 發(fā)布日期:2021-07-15      瀏覽次數(shù):2008
    • 導(dǎo)電薄膜方塊電阻無損檢測設(shè)備EC-80P技術(shù)分析

       針對納米導(dǎo)電薄膜的方塊電阻檢測問題,提出了基于微帶傳輸線的無損檢測方法。通過引入空氣縫隙,將待測導(dǎo)電薄膜及其襯底插入微帶線橫截面內(nèi),進而測量微波信號的插損來獲得待測薄膜的導(dǎo)電特性。采用電磁仿真軟件和實驗測試對該方法進行了驗證,結(jié)果表明:待測薄膜的方塊電阻越大,對應(yīng)的信號插損越小,從而初步證明了所提方法的可行性。 

      日本napson便攜式電阻檢測儀EC-80P

       

      產(chǎn)品特點

      • 只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
      • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
      • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
      • 連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
      • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

      測量規(guī)格

      測量目標

      半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
      新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
      導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
      硅基外延,離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
      其他(*請與我們聯(lián)系)

      測量尺寸

      無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

      測量范圍

      [電阻] 1m至200Ω? cm
      (*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
      [抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
      (*所有探頭類型的總量程)

      *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
      (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
      (2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
      (3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
      (4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
      (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

    在線交流
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