真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析

發(fā)布日期：2024-04-12      瀏覽次數(shù)：348

真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析




真空鍍膜是指在高真空條件下，利用各種物理或化學(xué)方法將靶材表面氣化或 電離，再沉積到基底表面形成薄膜。真空鍍膜技術(shù)分為物理氣相沉積（PVD）和化 學(xué)氣相沉積（CVD）。物理氣相沉積法主要分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真 空離子鍍膜。在鈣鈦礦層制備中，主流使用方法為蒸發(fā)鍍膜，簡(jiǎn)稱蒸鍍法。 

1）蒸發(fā)鍍膜：真空條件下，通過(guò)電阻加熱、電子束轟擊等方法使鍍料靶材受 熱蒸發(fā)，靶材分子逸出，從鍍料遷移到基片表面，沉積形成薄膜。 

2）濺射鍍膜：真空條件下，向裝置內(nèi)充入氬氣（Ar），高電壓下氬氣輝光放 電，電離的氬離子在電場(chǎng)力作用下加速轟擊放置在陰極的靶材，被濺射出的靶材分 子沉積在基片表面形成薄膜。 

3）離子鍍膜：真空條件下，通過(guò)等離子體電離技術(shù)離化鍍料靶材，靶材分子 部分電離。基片外接高壓負(fù)極。在深度負(fù)偏壓下靶材分子向基片運(yùn)動(dòng)，沉積到基片 表面形成薄膜。 





VE-2013

VE-2013是一款簡(jiǎn)單的真空蒸鍍裝置，繼承了VE-2030（我公司制造）的概念。外殼內(nèi)置TMP，實(shí)現(xiàn)緊湊外殼。由于是臺(tái)式機(jī)，所以不會(huì)占用太多空間。RP 放置在地板上。
我們使用緊湊的 TMP+RP 排氣系統(tǒng)以低廉的價(jià)格提供清潔、高真空的蒸發(fā)系統(tǒng)。它消除了復(fù)雜的排氣操作，只需觸摸面板開關(guān)的ON/OFF控制即可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)。
使用鎢籃可以沉積金、鋁、鉻、銀等。碳蒸鍍采用夾具蒸鍍槍型，使用特殊碳（ SLC-30 ）進(jìn)行蒸鍍。（不能使用φ5mm碳棒。）

購(gòu)買時(shí)，您可以選擇碳?xì)庀喑练e電極或金屬氣相沉積電極。可以選擇購(gòu)買額外的電極。

碳蒸發(fā)電極

這是專用的碳蒸發(fā)電極。
它可以在高真空區(qū)域進(jìn)行碳蒸發(fā)，從而可以形成具有優(yōu)異膜質(zhì)量和膜強(qiáng)度的碳膜。
附帶的防塵蓋將碳蒸氣沉積的散射范圍降至必要的低限度，從而減輕了清潔的負(fù)擔(dān)。
使用特種碳（SLC-30）作為積碳源。
金屬蒸鍍電極

這是直徑0.5mm鎢籃專用的金屬蒸鍍電極。
可以輕松簡(jiǎn)便地進(jìn)行金、鋁、鉻等的氣相沉積。隨附的防塵蓋可最大限度地減少沉積區(qū)域并減輕清潔負(fù)擔(dān)。

主要產(chǎn)品規(guī)格

物品	規(guī)格
電源	AC100V（單相100V15A）
設(shè)備尺寸	寬428mm，深430mm，高550mm （設(shè)備重量38kg）
旋轉(zhuǎn)泵（外部）	抽速50?/min (G-50DA) (重量11kg)
渦輪泵（內(nèi)置裝置）	排氣速度67?/秒
樣品臺(tái)	直徑72毫米
氣相沉積源-樣品臺(tái)距離	可調(diào)范圍：0mm 至 140mm